随着电子通信技术的飞速发展，水表、燃气表也越来越智能化，不但减少了人工抄表的工作量，人们的缴费的方式也更便捷。作为计量传感部分的关键器件，TMR磁阻在水表、燃气表上采用的也越来越多，尤其是国内比较知名的大的表厂。实践证明TMR磁阻使得表计的功耗更低，计量更准确。下面介绍下TMR磁阻在水表、燃气表上的应用。 [详情]

智能门锁是指区别于传统机械锁的基础上改进的，在用户安全性、识别、管理性方面更加智能化的锁具。智能门锁是门禁系统中锁门的执行部件。随着物联网和智能家居的普及，作为智能家居入口级产品，智能门锁市场近年来增速十分惊人。 [详情]

自从多维科技推出革命性的纯国产的芯片TMR1340后，使得完全替换干簧管不但成为可能，而且实践证明性价比更好。多维科技TMR1340芯片，采用新一代TMR隧道磁电阻技术，平均功耗只有1.5uA，完全满足工业标准有4-20mA的功耗要求，如分辨率为10mm，最长可以做到20m，实时工作无休眠模式，频响可以达到1KHZ，完全满足频响的要求。敏感方向与干簧管液位计磁铁完全兼容，厂商无需更换磁铁和更改结构。 [详情]

对于寻找磁簧开关替代方案以减小开关尺寸、提高开关质量和耐用性、限度延长电池寿命的设计工程师来说，新型隧道磁阻技术能够为他们提供微安级（uA）的开关功耗，同时还具有高灵敏度的特性，且性价比优于磁簧开关。 [详情]

磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（AMR）元件或巨磁电阻（ GMR）元件为敏感元件的磁传感器。TMR（Tunnel MagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。 [详情]

在磁隧道结（MTJ s）中，TMR效应的产生机理是自旋相关的隧穿效应。MTJ s的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘层 / 铁磁层( FM / I/FM)的三明治结构。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧穿几率与两磁性层的磁化方向有关。 [详情]

法国的Albert Fert与德国的Peter Grtinberg因在纳米多层膜的磁性结构中发现巨磁电阻效应(GMR)而荣获2007年度的诺贝尔物理学奖，电子具有电荷与自旋2个自由度，在传统的电子学中，仅仅是电荷被电场调控，称之为电荷为基的电子学，而GMR效应的发现开拓了有效地控制自旋制备新颖电子器件的基础，自旋电子学可定义为以自旋为基的电子学，其中自旋在器件中起着核心的作用。目前。自旋电子学效应已呈现出丰富多彩的重要的技术上的应用，自旋电子学是十分重要的具有战略意义的研究领域，列入发达国家重点支持的计划中。从物理学的观点来看，过去的世纪属于“电荷”的世纪，那么未来的世纪可能属于“自旋”的世纪。 [详情]

早在1975年，Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junctions， MTJs)（注：MTJs的一般结构为铁磁层/非磁绝缘层/铁磁层(FM/I/FM)的三明治结构）中观察到了TMR效应。但是，这一发现当时并没有引起人们的重视。在这之后的十几年内，TMR 效应的研究进展十分缓慢。1988 年,巴西学者Baibich在法国巴黎大学物理系Fert教授领导的科研组中工作时，首先在Fe/Cr多层膜中发现了巨磁电阻(GMR)效应。TMR效应和GMR效应的发现导致了凝聚态物理学中新的学科分支——磁电子学的产生。20年来，GMR效应的研究发展非常迅速，并且基础研究和应用研究几乎齐头并进，已成为基础研究快速转化为商业应用的国际典范。随着GMR效应研究的深入，TMR效应开始引起人们的重视。尽管金属多层膜可以产生很高的GMR值，但强的反铁磁耦合效应导致饱和场很高，磁场灵敏度很小，从而限制了GMR效应的实际应用。 [详情]